MEMS麦克风——助听器的未来

最新一代MEMS麦克风拥有助听器行业要求的出色噪声和功耗性能。ADI公司利用20多年的MEMS技术经验来打造可用于助听器市场的高性能麦克风。典型全向MEMS麦克风的等效输入噪声(EIN)特性为27.5 dB SPL（A加权、8 kHz带宽），适合助听应用。⅓倍频程EIN噪声性能通常用于指定助听器用麦克风，在低频时非常出色，如图7所示。实现如此高的噪声性能只需17 μA功耗（采用典型助听器电池电压）。麦克风提供微型封装，总体积小于7.5 mm3，如图8所示。

图7. MEMS麦克风的⅓倍频程噪声

图8. 助听器用全向MEMS麦克风 a) 仰视图；b) 俯视图；c) 便于手工焊接的封装俯视图

结论

新型高性能、低功耗MEMS麦克风证明它将是适用于助听器的下一代麦克风技术。MEMS麦克风在性能上可与许多助听器ECM相竞争，并在很多方面超过ECM技术，例如可重复性、稳定性、尺寸、可制造性和功耗等。MEMS麦克风是助听器的未来，而未来已经到来。

作者

Jerad Lewis

Jerad Lewis 是InvenSense, Inc.的MEMS麦克风应用工程师。他于2001年获得美国宾州州立大学电气工程学士学位，目前正在攻读声学工程硕士学位。转职到InvenSense之前，Jerad在ADI公司工作，负责支持各种音频IC，包括SigmaDSP®、转换器和MEMS麦克风。

Dr. Brian Moss

Dr. Brian Moss 是InvenSense的应用工程师。他于1996年获得英国伦敦伦敦密德萨斯大学工程学士（荣誉）学位，2011年以题为“利用被动声学测量受约束气流温度”的研究成果获得哲学博士学位。转职到InvenSense之前，Brian在ADI公司工作，同时兼任利默里克大学讲师。