BassBox教程-术语表

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摘要

分享音箱仿真软件BassBox Pro中常见专业术语的解释说明,供大家学习参考。

1-W SPL 在 1 米 1W 信号下测量扬声器单元声压级(dBSPL)的参考灵敏度。

2.8-V SPL 在 1 米 2.83V 信号下测量扬声器单元声压级(dBSPL)的参考灵敏度。

AC 交流电。音频信号是交流信号。

audible 可听声。不可听声是听不见的。什么声音可以听见?答:1)声波的频率在人的听力范围内。声波有足够的振幅(响度)可被听到。声波不会被更大的声音或噪音“掩盖”。

Av 风管内部的横截面积。

BL 单元的机电强度。

Cms 扬声器单元悬架的机械顺性。

DC 直流电。直流电流方向稳定。方向取决于电源的极性。电池可产生直流信号。

DCR 电感(音圈)等电气装置的直流电阻

DF 系统阻尼系数。这可以是单调谐带通箱情况下的系统阻尼因子,也可以是放大器输出的阻尼因子。

Dia 单元或无源辐射器的振膜或活塞直径。

diffraction 衍射,声波经过固体边缘或角落时产生的弯曲。

distortion 失真,当流经电路的信号在两个不同的点进行比较时,除幅度外的任何变化都是失真。

Dv 风管的内径。

E-M 扬声器机电参数。

EBP 效率带宽乘积(Fs/Qes)。注:当 Qes 未知时,有时估算为 Fs/Qts。

ESR 电感等电气装置的等效串联电阻

F3 系统的半功率(-3 dB)频率。F3 有时被称为“拐点”或“截止”频率。然而,对于 BassBox Pro 来说,这并不总是正确的,如下面的说明所示。

注:BassBox Pro 通过跟踪系统响应的下降频率方向来计算 F3,直到找到第一个-3 dB 电平。这可能低于响应曲线的“拐点”,也可能不低于。这与其他计算 F3 为相对于响应“拐点”的-3 dB 点的方法稍有不同。我们选择这种方法是因为它显示的是绝对的-3 dB 频率,而不是相对的。

Fb 箱体系统的谐振频率。它也被称为开口箱的“调谐频率”。

Fc 密闭箱系统的谐振频率。

Fill 加在箱体里的吸声或阻尼,以抑制不需要的谐振(有时增加箱体的等效容积)。

frequency 每秒声波的数量。它用赫兹(Hz)表示。

Fs 单元或无源辐射器的自由空气共振频率。

γ (gamma,γ)箱体内空气在恒压下的热与在恒温下的热之比。它的特点是在箱内吸声或“填充”后,箱内空气“弹性”的变化。注意:BassBox Pro 对γ使用增量(变化比)值,对于没有填充的箱体,γ等于 1,并且随着箱体内填充量的增加而增加。

Hv 正方形或长方形风管的内部高度。

impedance 阻抗,任何对电力流动的反抗作用。这种对反抗来自所有的来源,既有电阻性的,也有电抗性的。

isobaric 恒压式。一对“复合”单元安装在一个密闭的小等压室的两端。由于给两个单元输入相同的信号,并且它们的振膜朝着相同的方向运动,因此腔内的压力保持恒定。

Le 由于音圈的感抗,单元“似乎”具有的电感。

Lv 风管的长度或深度(如果存在,包括喇叭口的末端)。

max flat (最大平坦) 最小纹波通带中的振幅响应曲线。

midrange 中频单元。一种扬声器单元,设计用于产生可听频谱(500 至 4000Hz)中间的频率。

Mms (等效总质量)单元膜片总的机械质量,包括空气负荷。

η0 (eta 0)半空间声负载中的单元参考效率。

octave (倍频程)一个倍频程是频率的二比一变化。例如,100 到 200 赫兹是一个倍频程,5000 到10000Hz 也是一个倍频程。

on-axis (轴线方向)当音箱或单元直接指向某个对象时,它是指向该对象的“on-axis”。大多数扬声器的测量是在轴线上进行的。

overhung 悬垂的音圈比磁铁间隙的高度还高(长音圈)。

parallel 并联,并排连接的组件是并行连接的。

passband 单元的工作频带。通带通常由 F3 定义。

Pe 单元在损坏前能处理的最大电功率,通常是在音圈烧坏时。又称“极限热功率”。

phase shift 当流过电路的信号在两个不同的点进行比较时,信号中的任何延迟都可以被观察到为相移。它表示为一个旋转角度。

piston band 单元相对于频率保持恒定负载的频带。

pixel 计算机能在视频监视器上开关的最小的光点。

polarity 当膜片响应一个正信号向外运动时,单元被称为“正”极性。当它的膜片响应一个正信号向内运动时,它被说成是反极性或“反”极性。

push-pull 当两个单元安装在相反的方向,并以相对于对方相反的极性连接时,它们被称为处于“推挽”配置中。这是因为当一个单元的锥体远离磁铁时,另一个单元的锥体就会向磁铁移动。由于许多悬架非线性被抵消了,这导致偶次失真减小。

Q 系统的共振放大率。

Q't (Q ' T)在单调谐带通箱中,单元悬架与后腔负载的总 Q。

Qa 由所有吸收损耗引起的箱体的 Q 值。吸收损耗通常是由于增加了吸声棉或“填充”到箱体内部。

Qec 在 Fc 时扬声器单元的 Q 值,只考虑其电气(非机械)电阻。

Qes 扬声器单元在 Fs 处的 Q 值,只考虑其电气(非机械)电阻。

QL 由所有泄漏损耗引起的箱体 Q 值。泄漏损耗的来源包括箱体壁振动、箱体结构不良、单元垫圈密封不良、多孔单元防尘帽和“有损”折环。

QLv 全部由风管损耗引起的 Q 值。风管损耗的一个来源是空气通过排气孔时的粘滞摩擦。

Qmc 只考虑机械(非电)电阻的单元或无源辐射器在 Fc 时的 Q 值。

Qms 单元或无源辐射器在 Fs 处的 Q 值,只考虑其机械(非电)电阻。

Qtc 一个单元在 Fc 处的总 Q 值,同时考虑电阻值和机械阻值。

Qts 考虑电阻值和机械阻值的 Fs 点单元的总 Q 值。

Re 单元音圈的直流电阻。

reactance 由于电容性和感应性的特性而对电流产生的阻力。纯电阻特性不包括在电抗中。

resistance 无电容性和感应性特性的电流的反向。

resonance 谐振,一种器件的峰值响应频率,由其电容特性和电感特性的平衡引起。

Rms 单元或被动辐射器的机械阻力损失。

RMS 均方根水平(有效值)。例如,电压通常被测量为 RMS 电压,因为这是决定能产生多少功或热的“有效”或“稳态”电平。它是从一个峰值水平开平方根计算出来的。

Sd 单元振膜或无源辐射器的振膜或活塞区域面积。

series 串联,端到端连接的组件是串联的。

SPL 声压级。

stopband (截止频率)单元工作频带(通频带)以外的区域。

subsonic (次声波)声波的频率如此之低以致于人们听不见,因此超出了人类的听力范围。

subwoofer 一种用于产生超低频率(低于 100 赫兹)的扬声器单元。

supertweeter (超高音单元)一种用于产生超高频(5000 赫兹以上)的单元。

T-ST/S参数)Thiele-Small driver 或被动式辐射器参数,以 A.N. Thiele 和 R.H. Small 的名字命名,他们推广了音频行业中许多人使用的箱体分析的“集总”方法。他们的许多重要论文被收录在音频工程学会的扬声器选集中。

tweeter (高音单元)一种用于产生高频(2000 至 20000 赫兹)的单元。

ultrasonic (超声波)声波的频率如此之高以致于人们听不见,因此超出了人类的听力范围。

underhung (短音圈)下悬音圈比磁铁间隙的高度短。

Vas (等效容积)排气量具有与单元或被动辐射器的悬架相同的顺性或“弹性”的空气量

Vb 箱体内部的净体积。

Vd 单元或无源辐射器的膜片排开空气的体积。对于单元,这通常是在 Xmax 处移位的体积。对于无源辐射器,这是在 Xmech 的位移体积。

woofer (低音单元)一种用于产生低频(20 至 2000 赫兹)的单元。

Wv 正方形或长方形风管的内部宽度。

Xmax 单元或无源辐射器的最大线性偏移量。它应该从音圈的静止位置向一个方向测量。

Xmech 单元或无源辐射器的最大机械偏移量。对于某些单元,当单元的振膜移动到悬架允许的最大距离时,就会到达 Xmech。在其他单元中,当音圈骨架撞击磁铁结构的后板时达到 Xmech。Xmech 应从音圈的静止位置向一个方向测量。

Z 扬声器单元的标称电磁阻抗。


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