1-W SPL 在 1 米 1W 信号下测量扬声器单元声压级(dBSPL)的参考灵敏度。
2.8-V SPL 在 1 米 2.83V 信号下测量扬声器单元声压级(dBSPL)的参考灵敏度。
AC 交流电。音频信号是交流信号。
audible 可听声。不可听声是听不见的。什么声音可以听见?答:1)声波的频率在人的听力范围内。声波有足够的振幅(响度)可被听到。声波不会被更大的声音或噪音“掩盖”。
Av 风管内部的横截面积。
BL 单元的机电强度。
Cms 扬声器单元悬架的机械顺性。
DC 直流电。直流电流方向稳定。方向取决于电源的极性。电池可产生直流信号。
DCR 电感（音圈）等电气装置的直流电阻
DF 系统阻尼系数。这可以是单调谐带通箱情况下的系统阻尼因子，也可以是放大器输出的阻尼因子。
Dia 单元或无源辐射器的振膜或活塞直径。
diffraction 衍射，声波经过固体边缘或角落时产生的弯曲。
distortion 失真，当流经电路的信号在两个不同的点进行比较时，除幅度外的任何变化都是失真。
Dv 风管的内径。
E-M 扬声器机电参数。
EBP 效率带宽乘积(Fs/Qes)。注：当 Qes 未知时，有时估算为 Fs/Qts。
ESR 电感等电气装置的等效串联电阻
F3 系统的半功率(-3 dB)频率。F3 有时被称为“拐点”或“截止”频率。然而，对于 BassBox Pro 来说，这并不总是正确的，如下面的说明所示。
注：BassBox Pro 通过跟踪系统响应的下降频率方向来计算 F3，直到找到第一个-3 dB 电平。这可能低于响应曲线的“拐点”，也可能不低于。这与其他计算 F3 为相对于响应“拐点”的-3 dB 点的方法稍有不同。我们选择这种方法是因为它显示的是绝对的-3 dB 频率，而不是相对的。
Fb 箱体系统的谐振频率。它也被称为开口箱的“调谐频率”。
Fc 密闭箱系统的谐振频率。
Fill 加在箱体里的吸声或阻尼，以抑制不需要的谐振(有时增加箱体的等效容积)。
frequency 每秒声波的数量。它用赫兹（Hz）表示。
Fs 单元或无源辐射器的自由空气共振频率。
γ (gamma，γ)箱体内空气在恒压下的热与在恒温下的热之比。它的特点是在箱内吸声或“填充”后，箱内空气“弹性”的变化。注意：BassBox Pro 对γ使用增量(变化比)值，对于没有填充的箱体，γ等于 1，并且随着箱体内填充量的增加而增加。
Hv 正方形或长方形风管的内部高度。
impedance 阻抗，任何对电力流动的反抗作用。这种对反抗来自所有的来源，既有电阻性的，也有电抗性的。
isobaric 恒压式。一对“复合”单元安装在一个密闭的小等压室的两端。由于给两个单元输入相同的信号，并且它们的振膜朝着相同的方向运动，因此腔内的压力保持恒定。
Le 由于音圈的感抗，单元“似乎”具有的电感。
Lv 风管的长度或深度(如果存在，包括喇叭口的末端)。
max flat (最大平坦) 最小纹波通带中的振幅响应曲线。
midrange 中频单元。一种扬声器单元，设计用于产生可听频谱(500 至 4000Hz)中间的频率。
Mms （等效总质量）单元膜片总的机械质量，包括空气负荷。
η0 (eta 0)半空间声负载中的单元参考效率。
octave （倍频程）一个倍频程是频率的二比一变化。例如，100 到 200 赫兹是一个倍频程，5000 到10000Hz 也是一个倍频程。
on-axis （轴线方向）当音箱或单元直接指向某个对象时，它是指向该对象的“on-axis”。大多数扬声器的测量是在轴线上进行的。
overhung 悬垂的音圈比磁铁间隙的高度还高（长音圈）。
parallel 并联，并排连接的组件是并行连接的。
passband 单元的工作频带。通带通常由 F3 定义。
Pe 单元在损坏前能处理的最大电功率，通常是在音圈烧坏时。又称“极限热功率”。
phase shift 当流过电路的信号在两个不同的点进行比较时，信号中的任何延迟都可以被观察到为相移。它表示为一个旋转角度。
piston band 单元相对于频率保持恒定负载的频带。
pixel 计算机能在视频监视器上开关的最小的光点。
polarity 当膜片响应一个正信号向外运动时，单元被称为“正”极性。当它的膜片响应一个正信号向内运动时，它被说成是反极性或“反”极性。
push-pull 当两个单元安装在相反的方向，并以相对于对方相反的极性连接时，它们被称为处于“推挽”配置中。这是因为当一个单元的锥体远离磁铁时，另一个单元的锥体就会向磁铁移动。由于许多悬架非线性被抵消了，这导致偶次失真减小。
Q 系统的共振放大率。
Q't (Q ' T)在单调谐带通箱中，单元悬架与后腔负载的总 Q。
Qa 由所有吸收损耗引起的箱体的 Q 值。吸收损耗通常是由于增加了吸声棉或“填充”到箱体内部。
Qec 在 Fc 时扬声器单元的 Q 值，只考虑其电气(非机械)电阻。
Qes 扬声器单元在 Fs 处的 Q 值，只考虑其电气(非机械)电阻。
QL 由所有泄漏损耗引起的箱体 Q 值。泄漏损耗的来源包括箱体壁振动、箱体结构不良、单元垫圈密封不良、多孔单元防尘帽和“有损”折环。
QLv 全部由风管损耗引起的 Q 值。风管损耗的一个来源是空气通过排气孔时的粘滞摩擦。
Qmc 只考虑机械(非电)电阻的单元或无源辐射器在 Fc 时的 Q 值。
Qms 单元或无源辐射器在 Fs 处的 Q 值，只考虑其机械(非电)电阻。
Qtc 一个单元在 Fc 处的总 Q 值，同时考虑电阻值和机械阻值。
Qts 考虑电阻值和机械阻值的 Fs 点单元的总 Q 值。
Re 单元音圈的直流电阻。
reactance 由于电容性和感应性的特性而对电流产生的阻力。纯电阻特性不包括在电抗中。
resistance 无电容性和感应性特性的电流的反向。
resonance 谐振，一种器件的峰值响应频率，由其电容特性和电感特性的平衡引起。
Rms 单元或被动辐射器的机械阻力损失。
RMS 均方根水平（有效值）。例如，电压通常被测量为 RMS 电压，因为这是决定能产生多少功或热的“有效”或“稳态”电平。它是从一个峰值水平开平方根计算出来的。
Sd 单元振膜或无源辐射器的振膜或活塞区域面积。
series 串联，端到端连接的组件是串联的。
SPL 声压级。
stopband （截止频率）单元工作频带(通频带)以外的区域。
subsonic （次声波）声波的频率如此之低以致于人们听不见，因此超出了人类的听力范围。
subwoofer 一种用于产生超低频率(低于 100 赫兹)的扬声器单元。
supertweeter （超高音单元）一种用于产生超高频(5000 赫兹以上)的单元。
T-S （T/S参数）Thiele-Small driver 或被动式辐射器参数，以 A.N. Thiele 和 R.H. Small 的名字命名，他们推广了音频行业中许多人使用的箱体分析的“集总”方法。他们的许多重要论文被收录在音频工程学会的扬声器选集中。
tweeter （高音单元）一种用于产生高频(2000 至 20000 赫兹)的单元。
ultrasonic （超声波）声波的频率如此之高以致于人们听不见，因此超出了人类的听力范围。
underhung （短音圈）下悬音圈比磁铁间隙的高度短。
Vas （等效容积）排气量具有与单元或被动辐射器的悬架相同的顺性或“弹性”的空气量
Vb 箱体内部的净体积。
Vd 单元或无源辐射器的膜片排开空气的体积。对于单元，这通常是在 Xmax 处移位的体积。对于无源辐射器，这是在 Xmech 的位移体积。
woofer （低音单元）一种用于产生低频(20 至 2000 赫兹)的单元。
Wv 正方形或长方形风管的内部宽度。
Xmax 单元或无源辐射器的最大线性偏移量。它应该从音圈的静止位置向一个方向测量。
Xmech 单元或无源辐射器的最大机械偏移量。对于某些单元，当单元的振膜移动到悬架允许的最大距离时，就会到达 Xmech。在其他单元中，当音圈骨架撞击磁铁结构的后板时达到 Xmech。Xmech 应从音圈的静止位置向一个方向测量。
Z 扬声器单元的标称电磁阻抗。